Dom > Aktualności > Przełom! Kioxia opracowała 170-warstwowe produkty pamięci flash NAND

Przełom! Kioxia opracowała 170-warstwowe produkty pamięci flash NAND

Japoński producent chipów Kioxia opracował około 170 warstw pamięci flash NAND i uzyskał tę najnowocześniejszą technologię wraz z Micron i SK Hynix.


Nikkei Asian Review poinformował, że ta nowa pamięć NAND została opracowana wspólnie z Western Digital, partnerem z USA, a jej prędkość zapisu danych jest ponad dwukrotnie większa niż w przypadku obecnego najlepszego produktu Kioxia (112 warstw).

Ponadto Kioxia z powodzeniem zainstalowała więcej komórek pamięci na każdej warstwie nowej NAND, co oznacza, że ​​w porównaniu z pamięcią o tej samej pojemności może zmniejszyć chip o ponad 30%. Mniejsze chipy pozwolą na większą elastyczność w budowie smartfonów, serwerów i innych produktów.

Poinformowano, że Kioxia planuje wypuścić swoją nową NAND na trwającej Międzynarodowej Konferencji Obwodów Półprzewodnikowych i oczekuje się, że rozpocznie masową produkcję już w przyszłym roku.

Wraz z rozwojem technologii 5G oraz większą skalą i szybszą transmisją danych, Kioxia ma nadzieję zaspokoić popyt związany z centrami danych i smartfonami. Jednak konkurencja w tej dziedzinie nasiliła się. Micron i SK Hynix ogłosiły 176-warstwową pamięć NAND przed Kioxia.

Aby zwiększyć wydajność pamięci flash, Kioxia i Western Digital planują zbudować wiosną br. Fabrykę o wartości 1 biliona jenów (9,45 miliarda dolarów) w Yokkaichi w Japonii. Ich celem jest otwarcie pierwszych linii produkcyjnych w 2022 r. Ponadto Kioxia przejęła również wiele fabryk obok fabryki Kitakami w Japonii, aby w razie potrzeby zwiększyć moce produkcyjne w przyszłości.