Witaj gość

Zaloguj / Zarejestrować

Welcome,{$name}!

/ Wyloguj
polski
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolski繁体中文SuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Dom > Aktualności > SK Hynix opracowuje proces AIP w celu eliminowania wąskich gardeł produkcyjnych w ponad 300-warstwowej pamięci NAND

SK Hynix opracowuje proces AIP w celu eliminowania wąskich gardeł produkcyjnych w ponad 300-warstwowej pamięci NAND

SK Hynix

Według południowokoreańskich mediów zdnet.co.kr, SK Hynix, główny południowokoreański producent układów pamięci, opracowuje technologię procesową nowej generacji zwaną AIP (All-In-Plug).Celem jest uzyskanie pamięci NAND Flash o dużej liczbie stosów, składającej się z ponad 300 warstw, przy jednoczesnym znacznym obniżeniu kosztów produkcji.

Obecna produkcja pamięci NAND Flash wymaga wielu krytycznych etapów trawienia.Jednakże, gdy liczba warstw przekracza 300, koszty produkcji i złożoność procesów dramatycznie rosną.Technologia AIP koncentruje się na procesie trawienia o wysokim współczynniku proporcji (HARC) – kluczowym etapie produkcji pamięci NAND Flash.Integrując wiele etapów procesu i eliminując zbędne etapy, ma na celu utrzymanie rentowności procesu przy jednoczesnym obniżeniu kosztów produkcji i poprawie wydajności.

Jeśli technologia AIP zostanie pomyślnie wprowadzona do masowej produkcji, oczekuje się, że znacznie zmniejszy liczbę etapów trawienia, począwszy od nowej generacji NAND Flash, takiej jak V11, ustanawiając bardziej ekonomiczną podstawę produkcyjną dla układów pamięci z wyższymi warstwami układania.

Wiceprezydent SK Hynix, Lee Sunghoon, w swoim przemówieniu programowym na targach SEMICON Korea 2026 podkreślił, że w miarę rosnącej złożoności procesów półprzewodnikowych poleganie na starszych technologiach nie będzie już w stanie utrzymać przyszłego wzrostu.W rezultacie SK Hynix tworzy przewidywalną platformę technologii procesowych nowej generacji, jednocześnie oceniając kluczowe technologie dla następnej generacji pamięci DRAM i NAND.

Lee Sunghoon stwierdził, że jednym z kluczowych czynników powodujących wzrost kosztów wielowarstwowej pamięci NAND Flash jest zwiększenie liczby etapów procesu trawienia.Integracja wielu etapów w jeden proces jest obecnie kluczowym wyzwaniem technicznym dla firmy.