Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Wyloguj
polski
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Dom > Aktualności > SK hynix zapowiada zaprzestanie stosowania 36- i 48-warstwowych produktów 3D NAND

SK hynix zapowiada zaprzestanie stosowania 36- i 48-warstwowych produktów 3D NAND



  Według koreańskich mediów technologicznych „DDaily”, SK hynix opublikował swój pierwszy kwartalny raport o zyskach za 2019 r. 25-tego roku, z przychodami i przychodami w wysokości 777,27 mld wygranych i 1 366,5 mld wygranych Przychody spadły o 31,9% w porównaniu z poprzednim kwartałem i spadły o 22,3% w porównaniu z analogicznym okresem ubiegłego roku. Marża zysku spadła o 69,2% w porównaniu z poprzednim kwartałem i spadła o 68,7% w porównaniu z analogicznym okresem ubiegłego roku.

DRAM ze względu na wolniejsze zapotrzebowanie poza sezonem i konserwatywne zakupy przez klientów serwerów, w porównaniu z poprzednim kwartałem, średnia cena sprzedaży (ASP) spadła o 27%, a dostawy spadły o 8%. Na pamięć flash NAND wpływ miała presja zapasów i pozioma konkurencja. Średnia cena sprzedaży (ASP) spadła o 32%, a dostawy spadły o 6%.

Wraz z nowym smartfonem wykorzystującym 12 GB pamięci DRAM o dużej pojemności i rosnącym popytem na pamięć DRAM dla serwerów, SK hynix spodziewa się, że popyt na DRAM poprawi się w drugim kwartale. Z drugiej strony, gdy drugi kwartał wkracza w późny etap, oczekuje się, że popyt będzie stopniowo odzyskiwać, a popyt flash NAND zacznie rosnąć. Obecnie cena pamięci flash NAND spadła o ponad rok, a zapotrzebowanie na IT dla NAND również szybko rośnie. W przyszłości SK hynix rozszerzy współczynnik aplikacji SSD (Solid State Drive).

W przyszłości, w dziedzinie DRAM, SK Hynix skoncentruje się na transformacji subtelnych projektów. Po pierwsze, pierwsza generacja 10-nanometrowej (1X) produkcji będzie stopniowo rozbudowywana, a od drugiej połowy roku główne produkty zostaną przekształcone w produkty drugiej generacji 10 nanometrów (1Y). W tym samym czasie, w celu obsługi dużych wolumenów pamięci DRAM nowego układu serwerowego, zacznie dostarczać produkty modułowe o pojemności 64 GB.

W dziedzinie NAND przyszłość będzie koncentrować się na zwiększaniu przychodów. Początkowe produkty 3D NAND 3D NAND o stosunkowo wysokich kosztach produkcji zostaną zatrzymane - 2 generacje (36 warstw) i 3 pokolenia (48 warstw), a proporcja produkcji 72 warstw zostanie zwiększona. W drugiej połowie roku planowane jest wykorzystanie 96-warstwowych produktów 4D NAND w celu stymulowania rynku dysków SSD i mobilnych. Nowa fabryka M15 w Qingzhou bierze pod uwagę obecne zapotrzebowanie, a prędkość produkcji masowej będzie wolniejsza niż pierwotnie planowano. Oczekuje się, że wkład płytki w NAND SK hynix w tym roku zostanie zmniejszony o ponad 10% w porównaniu z rokiem ubiegłym.

SK hynix powiedział: „Na rynku, na którym potrzeby magazynowania są niepewne i oczekuje się, że popyt się poprawi, wysiłki skupią się na redukcji kosztów i zapewnieniu jakości”.