Samsung wprowadza Wysokie NA EUV w celu zwiększenia konkurencyjności na rynku drugiej NM

Samsung Electronics podobno wprowadził maszynę do litografii półprzewodnikowej nowej generacji, wysokie apertura litograficzne o wysokiej otchłaniach (NA) Extreme ultrafiolet (EUV) (High EUV)-EXE: 5000-w jej obiekcie Hwaseong w Korei Południowej na początku marca.Wysokie NA EUV jest niezbędne do produkcji ultra-fine obwodów poniżej drugiego NM, sygnalizując wysiłki Samsunga w celu zwiększenia technologii procesów sub-2NM.

Raport podkreśla, że ​​ten zaawansowany sprzęt ma wysoką cenę 500 miliardów KRW (około 2,501 miliarda RMB) i jest dostarczany wyłącznie przez ASML, co czyni go jednym z najbardziej poszukiwanych narzędzi w branży półprzewodnikowej.

Od ubiegłego roku Samsung ocenia zastosowanie wysokiego NA EUV w swoim procesie produkcyjnym i podobno planuje wykorzystać go do półprzewodnikowych węzłów nowej generacji poniżej drugiej nm.

Wysokie NA EUV jest uważane za kluczowy czynnik włączający zaawansowane procesy odlewni Sub-2NM.Wiodące firmy półprzewodników na całym świecie ścigają się, aby przyjąć tę najnowocześniejszą technologię.Intel podpisał już umowę na zakup sześciu z tych maszyn, a pierwsza dostarczona w 2023 r.

Według TrendForce, globalny udział TSMC w rynku odlewni w IV kw. 4 2023 r. Osiągnął 67,1%, co stanowi wzrost o 2,4 punktu procentowego w porównaniu z kwartałem 2023 r. W przeciwieństwie do tego Samsung walczył na rynku, a jego udział spadł o 1 punkt procentowy z 9,1% do 8,1% w tym samym okresie.