Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Wyloguj
polski
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Dom > Aktualności > Samsung po raz pierwszy stosuje technologię EUV do produkcji DRAM

Samsung po raz pierwszy stosuje technologię EUV do produkcji DRAM

Według ZDnet Samsung ogłosił, że z powodzeniem zastosował technologię EUV do produkcji DRAM.

Samsung dostarczył 1 milion modułów DRAM DDR4 10 nm wyprodukowanych w procesie EUV i został oceniony przez klientów. Samsung powiedział, że zakończenie oceny utoruje drogę do masowej produkcji nowych pamięci DRAM w przyszłym roku.

Linia produkcyjna Samsung V2 firmy Samsung w zakładzie w Pyeongtaek rozpocznie produkcję modułów DRAM w drugiej połowie roku. Oczekuje się, że linia produkcyjna będzie produkować 10 nm DDR5 4. generacji i LPDDR5.

To kolejny układ produkowany przez fabrykę w Pyeongtaek, oprócz układów logicznych 7 nm wykorzystujących technologię EUV. Samsung twierdzi, że technologia EUV podwoi wydajność produkcji pojedynczego 12-calowego wafla.

Oczekuje się, że światowi producenci półprzewodników, tacy jak Samsung, Intel i TSMC, zwiększą wykorzystanie technologii EUV w produkcji układów. Samsung wcześniej stwierdził, że planuje wykorzystać technologię EUV do produkcji układów 3 nm.